Важнейшие результаты 2019 г.Исполнители: А.Л. Степанов, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, А.М. Рогов. Казанский физико-технический институту им. Е.К. Завойского ФИЦ КазНЦ РАН Исследование относится к тематике оптоэлектроники, а именно, к способам изготовления периодических микроструктур на основе материалов с фазовой памятью – халькогенидных стеклообразных полупроводников, выполненных на поверхности оптически-прозрачных подложках. На практике такие микроструктуры могут быть использованы для создания перезаписываемых оптических дисков формата DVD и Blu-Ray, а также энергонезависимых ячеек фазовой памяти (Phase-Change-Memory, PCM cells) и др. Решаемая техническая задача заключается в обеспечении возможности изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников за один технологический цикл в вакууме с помощью имплантации ионами благородных металлов с энергией 4 – 100 кэВ, дозой облучения 1.0×1015 – 6.5×1020 ион/см2 и плотностью тока ионного пучка 2 – 50 мкА/cм2 через поверхностную маску. Изображение, полученное на сканирующем электронном микроскопе, периодических микроструктур из халькогенидного стеклообразного полупроводника (GeSe5)80B20, после его имплантации ионами Ag+ через маску. Публикации:
|